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元器件采购网 > I-514页 > FET - 单IRLR3303TR

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IRLR3303TR

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询价QQ:閸滃本鍨滈崡铏娴溿倛鐨�
IRLR3303TR参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
包装数量:2000
包装形式:带卷 (TR)
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):35A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):31 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):870pF @ 25V
功率 - 最大值:68W
安装类型:表面贴装

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